以下文章来源于TransphormGaN ，作者Transphorm
Transphorm公司目前已经向市场推出了两款900伏 GaN FET，产品代码分别为TP90H180PS和TP90H050WS。关键规格参数见下表：
两款900V FET均属于常闭型器件，通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷，提供更高的效率，明显超越传统硅 (Si) 器件，具有显著优势。
TP90H050WS采用行业标准的3引线TO-247封装，TP90H180PS采用TO-220封装，GSD 引脚布局具有设计的便捷性。
Transphorm的900V GaN FET与现成标准的栅极驱动器兼容，易于设计，适用于LED照明、光伏逆变器、和以及各类650伏器件无法胜任的、需要更高直流母线电压的三相工业电源应用。
这两款器件均获有JEDEC认证。
Transphorm 900V GaN FET的评估套件使用3.5千瓦DC-AC逆变器，产品代码为TDINV3500P100。该逆变器工作频率为100kHz，输入直流电压区间为350伏到720伏，输出电压为240伏交流电。
Transphorm 900伏GaN FET评估板TDINV3500P100及设置参数
这两款900V GaN FET的典型性能曲线如下：
TP90H050WS的典型性能曲线(效率% ,vs. 输出功率W)
TP90H180PS的典型性能曲线(效率% ,vs. 输出功率W)
关于Transphorm
加贺富仪艾电子旗下代理品牌 Transphorm，是一家设计、生产氮化镓功率转换器和模块的企业。
2007年成立，Transphorm以美国加州大学圣塔芭芭拉分校的教授和研究人员为主体，致力于设计、生产GaN（氮化镓）功率转换器和模块，已获得了包括谷歌、富士通、凯鹏华盈、考菲尔德及拜尔斯、索罗斯基金管理公司、量子战略合作伙伴在内的众多投资机构的青睐。
2013年，Transphorm推出了当时业内唯一经过JEDEC认证的GaN器件，建立了业界第一个也是唯一通过JEDEC认证的600V GaN产品线。
2014年2月，Transphorm与富士通半导体的功率器件业务部进行了业务合并，Transphorm负责设计、富士通半导体负责制造并代理销售。
2015年，Transphorm和安森美建立合作关系，共同推出基于GAN的电源方案。公司创立十多年来，Transphorm一直专注于将高压GaN FET推向市场。致力于为电力电子市场（数据中心服务器、PV转换器、感应/伺服电机、工业及汽车等商业供电市场）设计、制造和销售GaN产品。
2017年3月，又推出了市场上仅有的一款经过AEC-Q101认证的650V车用GaN器件。
