富士通电子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型号为 MB85RS4MTY 的 4Mbit FRAM ，其容量达到 FRAM 产品最高水平，运作温度最高可达 125℃ 。目前可为客户提供评测版样品。
这款全新 FRAM 是非易失性内存产品，在 125℃ 温环境下可以达到 10 兆次读/写次数，工作电流低，是工业机器人和高级驾驶辅助系统（ADAS）等汽车应用的最佳选择。
FRAM 应用实例
FRAM 的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于 EEPROM 和闪存，并已量产20多年，近年来广泛用于可穿戴设备、工业机器人和无人机。
自去年发布以来，2Mbit FRAM MB85RS2MTY 已在汽车和工业设备中获得广泛应用，而MB85RS4MTY 将其容量提高了一倍，达到 4M bit，满足更高容量的需求，配有 SPI 接口，工作电压为 1.8V 至 3.6V 。由于这款FRAM工作电流低，即使在 125℃ 高温下，最大工作电流仅为 4mA（运作频率 50MHz ），最大掉电模式电流为 30µA ，因此有助于降低环境敏感应用的功耗。
这款全新 FRAM 在 -40℃ 至 +125℃ 温度范围内可以达到 10 兆次读/写次数，适合某些需要实时数据记录的应用。例如，每 0.03 毫秒重写一次数据，同一地址连续记录数据可达 10 年之久。
这款 FRAM 产品采用业界标准 8-pin SOP 封装，可轻松取代现有类似引脚的 EEPROM 。此外，还提供 8-pin DFN（无引线双侧扁平）封装。
MB85RS4MTY 8-pin DFN（顶部・底部）
富士通电子将继续提供内存产品和解决方案，满足市场和客户的未来需求。
关键规格
· 组件型号：MB85RS4MT
· 容量（组态）：4 Mbit（512K x 8位）
· 接口：SPI（Serial Peripheral Interface）
· 运作频率：最高50 MHz
· 运作电压：1.8V - 3.6V
· 运作温度范围：-40°C - +125°C
· 读/写耐久性：10兆次（1013次）
· 封装规格：8-pin DFN，8-pin SOP
铁电随机存取内存（FRAM）
FRAM是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存，即便在没有电源的情况下仍可保存数据。FRAM结合了ROM和RAM的特性，并拥有高速写入数据、低功耗和高速读/写周期的优点。富士通自1999年即开始生产FRAM，亦称为FeRAM。
